ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > The Study of Effect of the Act...>الوصف

The Study of Effect of the Active Layer Thickness on the Electrical Properties of Organic Thin Film Transistor

العنوان بلغة أخرى: دراسة تأثير سمك الطبقة الفعالة على الخصائص الكهربائية لترانزستور تأثير المجال العضوي
المصدر: مجلة ميسان للدراسات الأكاديمية
الناشر: جامعة ميسان - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: عبدالله، ناظم عبدالجليل (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Abdullah, Nadhim Abduljaleel
مؤلفين آخرين: حسين، حسين فالح (م. مشارك) , حسين، وليد علي (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج20, ع40
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2021
الصفحات: 16 - 23
DOI: 10.54633/2333-020-040-016
ISSN: 1994-697X
رقم MD: 1186476
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: HumanIndex, EduSearch
مواضيع:
المعاملات الكهربائية | معاملات الترانزستور | سرعة الدوران | المواد العضوية
كلمات المؤلف المفتاحية:
Organic Field Effect Transistor OFET | TG-BC | Poly (3-Hexylthiophene-2,5-Diyl) (P3HT) | Polyvinyl Alcohol (PVA) | Thin Film | Mobility | Threshold Voltage | Channel Resistant
رابط المحتوى:
PDF (صورة)     
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

2

حفظ في:
المستخلص: تم في هذه الدراسة تصنيع ترانزستور تأثير المجال العضوي بالتركيب TG-BC، وذلك باستخدام البوليمر P3HT لتشكيل الطبقة الفعالة والبوليمر PVA كطبقة عازلة للبوابة. تم تثبيت كل من طول قناة التوصيل (L=60μm) وعرضها (W=1mm) وسمك الطبقة العازلة للبوابة عند سرعة الدوران (l000rpm) باستخدام طريقة الطلاء بالبرم لترسيب الأغشية الرقيقة، بينما تم ترسيب الطبقة الفعالة بسرع دوران مختلفة (1000, 1500, 2000, 2500, 3000 rpm). بينت نتائج قياس ميزتي الخرج والتحويل أن جميع ترانزستورات المصنعة هي من النوع التعزيزي (أو التجميعي) enhancement or accumulation) (mode. أظهرت مقارنة المعاملات الكهربائية المحسوبة للترانزستورات أن السمك الأمثل للطبقة الفعالة عند ظروف التصنيع المتبعة هي عند السمك المقابل لسرعة الدوران (2500rpm)، إذ كانت معاملات الترانزستور الأفضل هي: (μsat=5.86x10-3cm2/Vs), (Ion/Ioff=786),(Vth=-22V), (Rch=9.57x105Ω)

In the present work, organic field effect transistor in TG-BC configuration was fabricated of Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) as an active layer, and polyvinyl alcohol (PVA) as a gate dielectric layer. OFET was made at AL/PVA/P3HT/Au structure in constant conductance channel width (W=1mm) and length (L=60μm). The dielectric layer was deposited in constant revolution speed (1000rpm) by spin coating method, While the semiconducting polymer was deposited in multi revolution speeds (1000, 1500, 2000, 2500, 3000) rpm to obtain a different active layer thickness. All devices were worked in enhancement or accumulation mode. The best characteristic of the organic field effect transistor is when the thickness of an active layer corresponding to (2500rpm), which has the highest saturation mobility value (5.86x10-3 cm2/Vs) and (Ion/Ioff=786), and lowest threshold voltage (-22V) and channel resistance (9.57x105 Ω).
ISSN: 1994-697X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.