| LEADER |
04025nam a22002897a 4500 |
| 001 |
1931769 |
| 024 |
|
|
|3 10.54633/2333-020-040-016
|
| 041 |
|
|
|a eng
|
| 044 |
|
|
|b العراق
|
| 100 |
|
|
|9 635053
|a عبدالله، ناظم عبدالجليل
|g Abdullah, Nadhim Abduljaleel
|e مؤلف
|
| 245 |
|
|
|a The Study of Effect of the Active Layer Thickness on the Electrical Properties of Organic Thin Film Transistor
|
| 246 |
|
|
|a دراسة تأثير سمك الطبقة الفعالة على الخصائص الكهربائية لترانزستور تأثير المجال العضوي
|
| 260 |
|
|
|b جامعة ميسان - كلية التربية الأساسية
|c 2021
|
| 300 |
|
|
|a 16 - 23
|
| 336 |
|
|
|a بحوث ومقالات
|b Article
|
| 520 |
|
|
|b In the present work, organic field effect transistor in TG-BC configuration was fabricated of Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) as an active layer, and polyvinyl alcohol (PVA) as a gate dielectric layer. OFET was made at AL/PVA/P3HT/Au structure in constant conductance channel width (W=1mm) and length (L=60μm). The dielectric layer was deposited in constant revolution speed (1000rpm) by spin coating method, While the semiconducting polymer was deposited in multi revolution speeds (1000, 1500, 2000, 2500, 3000) rpm to obtain a different active layer thickness. All devices were worked in enhancement or accumulation mode. The best characteristic of the organic field effect transistor is when the thickness of an active layer corresponding to (2500rpm), which has the highest saturation mobility value (5.86x10-3 cm2/Vs) and (Ion/Ioff=786), and lowest threshold voltage (-22V) and channel resistance (9.57x105 Ω).
|
| 520 |
|
|
|a تم في هذه الدراسة تصنيع ترانزستور تأثير المجال العضوي بالتركيب TG-BC، وذلك باستخدام البوليمر P3HT لتشكيل الطبقة الفعالة والبوليمر PVA كطبقة عازلة للبوابة. تم تثبيت كل من طول قناة التوصيل (L=60μm) وعرضها (W=1mm) وسمك الطبقة العازلة للبوابة عند سرعة الدوران (l000rpm) باستخدام طريقة الطلاء بالبرم لترسيب الأغشية الرقيقة، بينما تم ترسيب الطبقة الفعالة بسرع دوران مختلفة (1000, 1500, 2000, 2500, 3000 rpm). بينت نتائج قياس ميزتي الخرج والتحويل أن جميع ترانزستورات المصنعة هي من النوع التعزيزي (أو التجميعي) enhancement or accumulation) (mode. أظهرت مقارنة المعاملات الكهربائية المحسوبة للترانزستورات أن السمك الأمثل للطبقة الفعالة عند ظروف التصنيع المتبعة هي عند السمك المقابل لسرعة الدوران (2500rpm)، إذ كانت معاملات الترانزستور الأفضل هي: (μsat=5.86x10-3cm2/Vs), (Ion/Ioff=786),(Vth=-22V), (Rch=9.57x105Ω)
|
| 653 |
|
|
|a المعاملات الكهربائية
|a معاملات الترانزستور
|a سرعة الدوران
|a المواد العضوية
|
| 692 |
|
|
|b Organic Field Effect Transistor OFET
|b TG-BC
|b Poly (3-Hexylthiophene-2,5-Diyl) (P3HT)
|b Polyvinyl Alcohol (PVA)
|b Thin Film
|b Mobility
|b Threshold Voltage
|b Channel Resistant
|
| 700 |
|
|
|9 635056
|a حسين، حسين فالح
|e م. مشارك
|g Hussain, Hussain Falih
|
| 700 |
|
|
|9 635055
|a حسين، وليد علي
|e م. مشارك
|g Hussain, Waleed Ali
|
| 773 |
|
|
|4 التربية والتعليم
|4 العلوم الإنسانية ، متعددة التخصصات
|6 Education & Educational Research
|6 Humanities, Multidisciplinary
|c 016
|e Maisan Journal of Academic Studies
|f Maǧallaẗ Mīsān li-l-dirāsāt al-akādīmiyyaẗ
|l 040
|m مج20, ع40
|o 2333
|s مجلة ميسان للدراسات الأكاديمية
|v 020
|x 1994-697X
|
| 856 |
|
|
|u 2333-020-040-016.pdf
|
| 930 |
|
|
|d y
|p y
|q n
|
| 995 |
|
|
|a HumanIndex
|
| 995 |
|
|
|a EduSearch
|
| 999 |
|
|
|c 1186476
|d 1186476
|
