ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > استقصاء الحل العددي لنموذج الا...>الوصف

استقصاء الحل العددي لنموذج الانجراف - الانتشار في ثنائي PN ذي بعد واحد في السيليكون حالة الاستقرار

العنوان بلغة أخرى: Investigation of the Numerical Solution for One Dimensional Drift-Diffusion Model in Silicon in Steady State
المصدر: مجلة التربية والعلم
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: ثابت، روزانا نوري (مؤلف)
مؤلفين آخرين: حسين، ممتاز محمد صالح (م. مشارك)
المجلد/العدد: مج30, ع1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2021
الصفحات: 46 - 57
DOI: 10.33899/edusj.2020.127055.1067
ISSN: 1812-125X
رقم MD: 1202323
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
علم الفيزياء | أشباه الموصلات | الأبعاد الميكروبية | السيليكون
كلمات المؤلف المفتاحية:
محاكاة ثنائي PN | نموذج انجراف | انتشار | طريقة كومل | Simulation of PN Diode | Drift Diffusion Model | Gummel Method
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: The drift-diffusion model is considered as one of the most important models which is used to describe the characteristics of semiconductor devices and can be applied to wide range of applications started from micro up to nano scale devices after applying the suitable correction on it. The Poisson, continuity, and current equations are considered as the basic equations for semiconductor devices, these equations are partial differential equations, used in the drift diffusion model. These equations described the semiclassical electron and hole transport in semiconductor in the presence of uniformly applied electric field. In this paper a numerical method (finite difference method) has been used to find the solution of these equations depending on Gummel method and Scharfetter-Gummel scheme, the drift diffusion model is applied after many approximation and suitable boundary condition which has been considered for the ?? diode in both equilibrium and non-equilibrium cases at room temperature, from this simulation model a MATLAB program has been prepared to obtained diode parameters as a function of distance at the junction region, these parameters are (conduction band, carrier concentration, electric field and charge density) two diode model has been tested with different doping concentration the first with ??=?? and the second with ??>?? also the diode characteristic in the forward biased is obtained.

يعد نموذج انجراف -انتشار من اهم النماذج المستخدمة لوصف خصائص نبائط أشباه الموصلات ويمكن تطبيقه على مدى واسع من التطبيقات تمتد من الأبعاد الدقيقة (المايكروية) إلى الأبعاد النانوية بعد ادخال التصحيحات المناسبة لها. تعتبر معادلة بواسون، ومعادلة الاستمرارية ومعادلة التيار من المعادلات الاساسية في اشباه الموصلات وهي معادلات تفاضلية جزئية تستخدم في نموذج الانجراف – الانتشار. تصف هذه المعادلات الانتقال شبة الكلاسيكي للإلكترونات والفجوات في حال وجود مجال كهربائي خارجي منتظم، تم في هذا البحث تطبيق طريقة عددية (طريقة الفروق المحدودة) لإيجاد حلول لهذه المعادلات بالاعتماد على طريقة كومل ومخطط شيرفتر -كومل. تم تطبيق نموذج الانجراف – الانتشار، بعد إجراء عدة تقريبات للحل وباستخدام شروط حدودية مناسبة على ثنائي pn في حالة التوازن وعدم التوازن عند درجة حرارة الغرفة. تم إجراء محاكاة بإعداد برنامج حاسوبي بلغة MATLAB والحصول على معلمات لثنائي السليكون pn كدالة للمسافة. اذ تم الحصول على كل من حزمة التوصيل، تركيز الحاملات، المجال الكهربائي وكثافة الشحنة كدالة للمسافة في حالة التوازن اي عندما NA = ND وفي حالة عدم التوازن اي عندما NA > ND وتمت المقارنة بين الحالتين.
ISSN: 1812-125X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.