ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







The Magnetization and Magnetic Susceptibility of an Electron Confined in a Doped Quantum Ring Made of Gaas/Algaas in a Magnetic Field

العنوان بلغة أخرى: المغنطة والحساسية المغناطيسية لإلكترون محصور في حلقة كمومية مصنوعة من Gaas/Algaas تحت تأثير مجال مغناطيسي
المؤلف الرئيسي: مغربي، أمامه عيسى (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Mughrabi, Omama Isa
مؤلفين آخرين: السعيد، محمد (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2021
موقع: نابلس
الصفحات: 1 - 80
رقم MD: 1246312
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة النجاح الوطنية
الكلية: كلية الدراسات العليا
الدولة: فلسطين
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

1

حفظ في:
المستخلص: تمت دراسة الخصائص المغناطيسية لحلقة كمومية ثنائية الأبعاد محصورة بجهد تحت تأثير مجال مغناطيسي خارجي عمودي على مستوي الجهد بالإضافة إلى تأثير زيمان (Zeeman) وشائب مستقبل. النتائج التي تم الحصول عليها أظهرت تأثر كل من قيم مستويات الطاقة للحلقة الكمية والمغنطة والقابلية المغناطيسية بعدة عوامل منها: شدة جهد الحصر، ووجود شائب مستقبل، ومقدار جهد التنافر الذي يحدده الثابت Ks، ونصف القطر الخارجي للحلقة الكمومية، والضغط، والحرارة. لحل هاملتونيان والحصول على القيم الذاتية للطاقة، استخدمنا طريقة مفكوك 1/N، ثم تم استخدام النتائج التي تم الحصول عليها للتحقق من اعتماد الخواص المغناطيسية، مثل: المغنطة (M) والقابلية المغناطيسية (X)، على المتغيرات الفيزيائية: شدة جهد الحصر، المجال المغناطيسي، درجة الحرارة، الضغط، ووجود الشوائب، وارتفاع الشوائب، ومقدار جهد التنافر الذي يحدده الثابت Ks، ونصف القطر الخارجي للحلقة الكمومية. حيث ستظهر تقاطعات مستويات الطاقة للحلقة الكمومية على شكل قمم في الكميات المغناطيسية مظهرة سلوك متذبذب ناتج من تقاطع مستويات الطاقة. كما تم توضيح تأثير شدة جهد الحصر، ووجود الشوائب، وارتفاع الشوائب، ومقدار جهد التنافر الذي يحدده الثابت Ks، ونصف القطر الخارجي للحلقة الكمومية على المغناطيسية وقابلية التمغنط لمواد أخرى لها استعمالات وتطبيقات كثيرة في مجال الأجهزة المعتمدة على مبدأ الإلكترو غزلية (Spintronics) مثل: lnAs و lnSb. من أهم النتائج التي توصلنا لها هو أن تأثير هذه العوامل يمكن أن يستخدم كمتحكم في تغيير إشارة قابلية التمغنط وبالتالي تغيير نوع المادة المغناطيسي والذي له دور مهم في مجال الأجهزة الإلكترو غزلية (Spintronics).