The Magnetization and Magnetic Susceptibility of an Electron Confined in a Doped Quantum Ring Made of Gaas/Algaas in a Magnetic Field
| العنوان بلغة أخرى: |
المغنطة والحساسية المغناطيسية لإلكترون محصور في حلقة كمومية مصنوعة من Gaas/Algaas تحت تأثير مجال مغناطيسي |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | مغربي، أمامه عيسى (مؤلف) |
| المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Mughrabi, Omama Isa |
| مؤلفين آخرين: | السعيد، محمد (مشرف) |
| التاريخ الميلادي: |
2021
|
| موقع: | نابلس |
| الصفحات: | 1 - 80 |
| رقم MD: | 1246312 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
| الكلية: | كلية الدراسات العليا |
| الدولة: | فلسطين |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
عدد مرات التحميل
1
| المستخلص: |
تمت دراسة الخصائص المغناطيسية لحلقة كمومية ثنائية الأبعاد محصورة بجهد تحت تأثير مجال مغناطيسي خارجي عمودي على مستوي الجهد بالإضافة إلى تأثير زيمان (Zeeman) وشائب مستقبل. النتائج التي تم الحصول عليها أظهرت تأثر كل من قيم مستويات الطاقة للحلقة الكمية والمغنطة والقابلية المغناطيسية بعدة عوامل منها: شدة جهد الحصر، ووجود شائب مستقبل، ومقدار جهد التنافر الذي يحدده الثابت Ks، ونصف القطر الخارجي للحلقة الكمومية، والضغط، والحرارة. لحل هاملتونيان والحصول على القيم الذاتية للطاقة، استخدمنا طريقة مفكوك 1/N، ثم تم استخدام النتائج التي تم الحصول عليها للتحقق من اعتماد الخواص المغناطيسية، مثل: المغنطة (M) والقابلية المغناطيسية (X)، على المتغيرات الفيزيائية: شدة جهد الحصر، المجال المغناطيسي، درجة الحرارة، الضغط، ووجود الشوائب، وارتفاع الشوائب، ومقدار جهد التنافر الذي يحدده الثابت Ks، ونصف القطر الخارجي للحلقة الكمومية. حيث ستظهر تقاطعات مستويات الطاقة للحلقة الكمومية على شكل قمم في الكميات المغناطيسية مظهرة سلوك متذبذب ناتج من تقاطع مستويات الطاقة. كما تم توضيح تأثير شدة جهد الحصر، ووجود الشوائب، وارتفاع الشوائب، ومقدار جهد التنافر الذي يحدده الثابت Ks، ونصف القطر الخارجي للحلقة الكمومية على المغناطيسية وقابلية التمغنط لمواد أخرى لها استعمالات وتطبيقات كثيرة في مجال الأجهزة المعتمدة على مبدأ الإلكترو غزلية (Spintronics) مثل: lnAs و lnSb. من أهم النتائج التي توصلنا لها هو أن تأثير هذه العوامل يمكن أن يستخدم كمتحكم في تغيير إشارة قابلية التمغنط وبالتالي تغيير نوع المادة المغناطيسي والذي له دور مهم في مجال الأجهزة الإلكترو غزلية (Spintronics). |
|---|
عناصر مشابهة
-
The Effects of Rashba Spin-Orbit Interaction and Magnetic Field on the Thermo-Magnetic Properties of an Electron Confined in a Cylindrical Semiconductor Quantum Dot
بواسطة: رجب، هناء سمير عبدالفتاح منشور: (2021) -
Rashba Effect on the Magnetic Properties of an Electron Confined in a Quantum Wire in a Magnetic Field
بواسطة: سلعوس، طه مجدي منشور: (2019) -
Combined Effects of Pressure, Temperature, and Magnetic Field on Energy States of Donor Impurities in a Gaas / Algaas Quantum Heterostructure
بواسطة: أبو زيد، سماح فايز نمر منشور: (2017) -
The Magnetization of the (GaAs) Double Quantum Dots in a Magnetic Field
بواسطة: حجاز، اشتياق محمد ياسر منشور: (2016) -
Heat Capacity of Two Electrons Quantum Dot in an External Magnetic Field by Variational Method
بواسطة: شاعر، أيهم أنور منشور: (2015)
