العنوان بلغة أخرى: |
التأثيرات المشتركة للضغط، درجة الحرارة، والمجال المغناطيسي على مستويات الطاقة للشوائب المانحة في تركيب غير متجانس GaAs / AlGaAs |
---|---|
المؤلف الرئيسي: | أبو زيد، سماح فايز نمر (مؤلف) |
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Abu-Zaid, Samah Fayez Nemer |
مؤلفين آخرين: | السعيد، محمد (مشرف) |
التاريخ الميلادي: |
2017
|
موقع: | نابلس |
الصفحات: | 1 - 52 |
رقم MD: | 1248207 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
الدولة: | فلسطين |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
حساب مستويات الطاقة الدنيا للشوائب المانحة في التركيب الغير متجانس ل GaAs/AlGaAs تحت تأثير المجال المغناطيسي باتجاه محور إل zباستخدام طريقة حساب قطرية المصفوفة. وتم التحقق من تأثير موقع الشوائب المانحة على مستويات الطاقة الدنيا بوجود تردد الحصر وشدة المجال المغناطيسي. قد تم حساب طاقة الربط للمستويات الدنيا للشوائب المانحة بالاعتماد على كل من موقع الشوائب المانحة، تردد الحصر، وشدة المجال المغناطيسي. بالإضافة إلى ذلك، تم دراسة التأثير المشترك للضغط ودرجة الحرارة على طاقة الربط بدلالة شدة المجال المغناطيسي عن طريق تقريب الكتلة الفعلي، وكانت النتيجة انه بزيادة الضغط تزداد طاقة الربط للمستويات الدنيا للشوائب المانحة، أما بزيادة درجة الحرارة فإنها تنخفض. |
---|