ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Effects of the Hydrostatic Pressure and Temperature on the Properties of the (GaAs) Single Quantum Dot in a Magnetic Field

العنوان بلغة أخرى: تأثير الضغط ودرجة الحرارة على خواص نقطة كمية من (GaAs) منفردة في مجال مغناطيسي
المؤلف الرئيسي: بزور، فاتن ماهر محمد (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Bzour, Faten Maher
مؤلفين آخرين: عليوي، خالد (مشرف) , السعيد، محمد (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2016
موقع: نابلس
الصفحات: 1 - 57
رقم MD: 1246948
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة النجاح الوطنية
الكلية: كلية الدراسات العليا
الدولة: فلسطين
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

10

حفظ في:
المستخلص: في هذا العمل تم حساب طاقة المستويات لنقطة كمية من (GaAs) تحت تأثير الضغط الخارجي ودرجة الحرارة والمجال المغناطيسي. تم الحصول على القيم المميزة من خلال حل دالة هاملتون لزوج من الإلكترونات في نقطة كمية باستخدام طريقة القطر (Diagonalization). أظهرت النتائج المحسوبة في هذا العمل أن طاقة المستويات للنقطة الكمية تعتمد بشدة على الضغط ودرجة الحرارة. وقد وجدنا أن طاقة المستويات تزداد بزيادة الضغط عند ثبات درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وأن طاقة المستويات تقل بزيادة درجة الحرارة وثبات الضغط والمجال المغناطيسي. وقد قمنا أيضا بحساب منحنى الطور الأحادي-الثلاثي للنقطة الكمية. بالإضافة إلى ذلك قمنا بالتحقق من تأثير الضغط على طاقة الصرف ((exchange energy لنقطة كمية في مجال مغناطيسي. وتظهر المقارنة أن نتائجنا على اتفاق جيد جدا مع النتائج المنشورة.

عناصر مشابهة