العنوان بلغة أخرى: |
التمغنط لنقطة كمية منفردة من زرنخيد الغاليوم GaAs المحصورة بجهد جاوس |
---|---|
المؤلف الرئيسي: | علي، محمود ماجد محمود (مؤلف) |
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Ali, Mahmoud Majed Mahmoud |
مؤلفين آخرين: | السعيد، محمد (مشرف) |
التاريخ الميلادي: |
2017
|
موقع: | نابلس |
الصفحات: | 1 - 35 |
رقم MD: | 1248002 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
الدولة: | فلسطين |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
قمنا بحساب التمغنط لإلكترون واحد محصور بجهد جاوس في نقطة كمية مصنوعة من مادة GaAs عن طريق حل دالة هاملتون بطريقة المحور الدقيقة أخذين بالاعتبار الحركة المغزلية للإلكترون وتم فحص اعتماد كمية التمغنط على كل من المتغيرات التالية: درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وجهد الحصر، عرضنا في هذه الأطروحة تغير طاقة الإلكترون بتغيير كل من المجال المغناطيسي وشدة جهد جاوس وحجم النقطة الكمية، أظهرت المقارنات المعروضة في الأطروحة تطابقا كبيرا بين النتائج التي حصلنا عليها مع الأعمال المنشورة. |
---|