العنوان بلغة أخرى: |
التمغنط للشوائب المانحة في نقاط كمية والمحصورة بجهد غاوس تحت مجال مغناطيسي |
---|---|
المؤلف الرئيسي: | قاروط، سلسبيل صالح محمد (مؤلف) |
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Qaroot, Salsabeel Saleh Mohmmad |
مؤلفين آخرين: | الكوني، مروان (مشرف) , السعيد، محمد (مشرف) |
التاريخ الميلادي: |
2018
|
موقع: | نابلس |
الصفحات: | 1 - 47 |
رقم MD: | 1248038 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
الدولة: | فلسطين |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
تم دراسة تأثير المجال المغناطيسي على الشوائب المانحة والمحصورة في مادة (GaAs). قمنا أيضا بعرض (1/N) بجهد غاوس مع الغزل المغناطيسي وحل دالة هاملتون بطريقة المفكوك الطاقة وطاقة الربط للمستوى الأرضي للإلكترون كاقتران بدلالة المجال المغناطيسي وعمق الجهد المحصور ونصف قطر النقطة الكمية. أظهرت الدراسة احتساب الكميات المغناطيسية للشوائب المانحة في النقطة الكمية مثل التمغنط والقابلية المغناطيسية. كما بينا أيضا اعتماد كل من χ,M على درجة الحرارة والمجال المغناطيسي والجهد المحصور. لقد قمنا بفحص تأثير الشوائب على الخواص المغناطيسية. بينت المقارنات أن النتائج جيدة جدا ومتفقة مع مثيلاتها المنشورة سابقا. |
---|