العنوان بلغة أخرى: |
تأثير المجالين المغناطيسي والكهربائي على مستويات الشوائب المانحة في نقطة كمية مصنوعة من مادة GaAs |
---|---|
المؤلف الرئيسي: | ياسين، أسماء زهير مدحت (مؤلف) |
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Yaseen, Asmaa Zohair Madhat |
مؤلفين آخرين: | الحسن، موسى (مشرف) , السعيد، محمد (مشرف) |
التاريخ الميلادي: |
2018
|
موقع: | نابلس |
الصفحات: | 1 - 53 |
رقم MD: | 1235824 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
الدولة: | فلسطين |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
في هذا العمل تم حساب طاقة المستوى الأرضي وبعض المستويات العلوية للشوائب المانحة المحصورة في نقطة كمية مصنوعة من مادة GaAs تحت تأثير كل من المجالين المغناطيسي والكهربائي، وذلك عن طريق حل دالة هاملتون بطريقة مفكوك (1 /N)، بالإضافة إلى حساب طاقة الربط لتلك المستويات. لقد قمنا بدراسة التأثير المشترك للمجال الكهربائي والمغناطيسي على طاقة المستويات وعلى طاقة الربط، وكانت النتيجة بأنه مع زيادة شده المجال المغناطيسي فإن طاقة المستويات وكذلك طاقة الربط تزداد، أما بالنسبة للمجال الكهربائي فإن الطاقة وطاقة الربط لتلك المستويات تقل. وفيما بعد قمنا بدراسة الخصائص المغناطيسية لتلك النقطة الكمية من خلال دراستنا للتمغنط وكذلك قابلية التمغنط وتم فحص اعتماد كمية التمغنط وقابلية التمغنط على كل من المتغيرات التالية: درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وجهد الحصر والمجال الكهربائي، أظهرت المقارنات المعروضة في الأطروحة تطابقا كبيرا بين النتائج التي حصلنا عليها مع الأعمال المنشورة. |
---|