ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







يجب تسجيل الدخول أولا

Light Emitter in Si – Ge Double Barrier Structures at Room Temperature

المصدر: المجلة الجامعة
الناشر: جامعة الزاوية - مركز البحوث والدراسات العليا
المؤلف الرئيسي: Elfurdag, Jamal S. (Author)
المجلد/العدد: مج18, ع1
محكمة: نعم
الدولة: ليبيا
التاريخ الميلادي: 2016
الشهر: يناير
الصفحات: 184 - 193
رقم MD: 1263375
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch, EcoLink, IslamicInfo, AraBase, HumanIndex
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: Full - scale microscopic calculations reveal that the allowed transitions across the super lattice band gap arise not from zone-folding but in fact are due to the presence of the heterointerfaces. In accord with this finding we have demonstrated that the band gap is highly sensitive to the degree of disorder at the interface. We proposed a structure in which the super lattice periodicity is absent, but the calculated transition strength is comparable with that for an optimum short period Si-Ge superlattice. The aim of this paper is to provide a mechanism to explain how these selection rules are broken, thereby, allowing no-phonon transition to the minima in the interface plane.

عناصر مشابهة