| LEADER |
05306nam a22002777a 4500 |
| 001 |
2151287 |
| 024 |
|
|
|3 10.35517/1309-009-001-009
|
| 041 |
|
|
|a eng
|
| 044 |
|
|
|b فلسطين
|
| 100 |
|
|
|9 552179
|a قصراوي، عاطف فايز
|e مؤلف
|g Qasrawi, Atef Fayez
|
| 245 |
|
|
|a Effect of Ag2O Nanosheets Thickness on the Performance of Al / GeO2 / Ag2O / GeO2 / C Multifunctional Electronic Devices
|
| 246 |
|
|
|a تأثير سماكة الصفائح النانوية لأكسيد الفضة على أداء الأجهزة متعددة الوظائف "المنيوم / أكسيد الجرمانيوم / أكسيد الفضة / أكسيد الجرمانيوم / الكربون"
|
| 260 |
|
|
|b الجامعة العربية الأمريكية - عمادة البحث العلمى
|c 2023
|g يونيو
|
| 300 |
|
|
|a 1 - 25
|
| 336 |
|
|
|a بحوث ومقالات
|b Article
|
| 520 |
|
|
|a في هذه الدراسة تم استخدام طبقات مكدسة من أكسيد الجرمانيوم تشتمل على صفائح نانوية من أكسيد الفضة لتصنيع الأجهزة الإلكترونية متعددة الوظائف. تم تسجيل تأثير الصفائح النانوية المصنعة من أكسيد الفضة على الأداء الإلكتروني للطبقات المكدسة من أكسيد الجرمانيوم. خضعت الطبقات الثلاث وهي أكسيد الجرمانيوم/أكسيد الفضة/ أكسيد الجرمانيوم والمتكاثفة على رقائق الألمنيوم تحت ضغط تفريغ 5-10 ملي بار لقياسات حيود الأشعة السينية، والإلكترون الضوئي للأشعة السينية، وتقنيه طيف الأشعة السينية الصادرة من الإلكترونات الضوئية، والمقاومة التحليل الطيفي، والسعة، وتقنيات خصائص الجهد والتيار. اثبت تحليلات طيف المقاومة أن التغير في سمك طبقة أكسيد الفضة في نطاق75-25 نانومتر يمكن أن ينجح في هندسة نطاقات تشغيل أجهزة أكسيد الجرمانيوم/أكسيد الفضة/ أكسيد الجرمانيوم عند تشغيلها كمرشحات تمرير/ رفض النطاق في مجال التردد من 0.01 إلى 1.80 جيجا هرتز، حيث إنها تظهر وجود ثلاثة خطوط مرور بالقرب من 1.0 جيجا هرتز وفوقها. بالإضافة إلى ذلك، لوحظ تأثير سعة سالب يمكن التحكم فيه مصحوبا بظاهرة الرنين والرنين المضاد في مجالات التردد المدروسة. من ناحية أخرى، كشفت الدراسات التي أجريت على خصائص السعة والجهد عن امتلاك هذه الرقائق خصائص الترانزستورات الرقيقة.
|b Herein, stacked layers of germanium oxide comprising silver oxide nanosheets are used to fabricate multifunctional electronic devices. The performance of these devices is enhanced by altering the thickness of Ag2O nanosheets. The effect of n- Ag2O nanosheets on the electronic performance of stacked layers of p-GeO2 is reported. The three stacked layers (GeO2/Ag2O/GeO2; named GAG) which are coated onto Al substrates under a vacuum pressure of 10-5 mbar are subjected to measurements by X-ray diffraction, X-ray photoelectron, X-ray fluorescence, impedance spectroscopy, capacitance –voltage and current-voltage characteristics techniques. The impedance spectroscopy analysis indicates that altering the thickness of the Ag2O layer in the range of 25-75 nm could successfully engineer the operation ranges of the GAG devices. When operated as band pass/reject filters in the frequency domain of 0.01-1.80 GHz, the device shows the existence of three pass lines near and above 1.0 GHz. In addition, a controllable negative capacitance effect accompanied with resonance-ant resonance phenomena is observed in the studied frequency domains. On the other hand, investigations of the capacitance-voltage characteristics revealed metal-oxide-semiconductor-fields effect transistor characteristics displaying PMOS and NMOS channels under reverse and forward basing conditions, respectively.
|
| 653 |
|
|
|a الأجهزة الإلكترونية
|a الإلكترونيات الضوئية
|a الصفائح النانوية
|a أكسيد الجرمانيوم
|
| 692 |
|
|
|a رقائق
|a أكسيد الفضة
|a أكسيد الجرمانيوم
|a مرشح
|a ترانزستور
|b Geo2/Ag2O/Geo2
|b MOSFET
|b Nanosheets
|b Enhanced Filters
|b Tunneling Diode
|
| 700 |
|
|
|9 551639
|a خنفر، حازم
|e م. مشارك
|g Khanfar, Hazem
|
| 773 |
|
|
|4 العلوم الإنسانية ، متعددة التخصصات
|4 العلوم الاجتماعية ، متعددة التخصصات
|6 Humanities, Multidisciplinary
|6 Social Sciences, Interdisciplinary
|c 009
|e Journal of the Arab American University
|f Mağallaẗ al-ğāmiʿaẗ al-ʿarabiyyaẗ al-amrīkiyyaẗ li-l-buḥūṯ
|l 001
|m مج9, ع1
|o 1309
|s مجلة الجامعة العربية الأمريكية للبحوث
|v 009
|x 2308-2623
|
| 856 |
|
|
|u 1309-009-001-009.pdf
|
| 930 |
|
|
|d y
|p y
|q n
|
| 995 |
|
|
|a EduSearch
|
| 995 |
|
|
|a EcoLink
|
| 995 |
|
|
|a HumanIndex
|
| 999 |
|
|
|c 1401286
|d 1401286
|
