ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > الانتقالات الالكترونية المباشر...>الوصف

الانتقالات الالكترونية المباشرة لأغشية ZnO و المشوب بالمتغنيز و المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: حسوني، ماجد حميد (مؤلف)
مؤلفين آخرين: حبوبي، فاضل (م. مشارك) , مشجل، خضير عباس (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2011
الصفحات: 45 - 53
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 423818
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الانتقال الالكتروني | التحلل الكيميائي الحراري | أغشية ZnO | فجوة الطاقة
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير أغشية ZnO وأغشية ZnO الشوبه بالمنغنيز بأستخدام طريقة التحلل الكيميائي الحراري ، وقد لوحظ ان اضافة مادة المنغنيز الى أغشية ZnO وبنسب مختلفة ( 7%، 5%، 3%، 1%) يودي الى تغير النفاذية وفجوة الطاقة الممنوعه للانتقالات الالكترونية المباشرة المسموحه.

Thin films of ZnO and ZnO doped with Mn in different percentages (1% , 3% , 5% , 7% ) are prepared by chemical spray pyrolysis. The addition of Mn changes the transmittance and the forbidden energy gap in the allowed direct electrons transition
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.