ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > أثر المعالجة الحرارية على الخص...>الوصف

أثر المعالجة الحرارية على الخصائص التركيبية والكهربائية لأغشية zns الرقيقة

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: عبدالزهرة، سوسن (مؤلف)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 17 - 28
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 424719
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
المعالجة الحرارية | أغشية zns | التحلل الكيميائي الحراري | التركيب البلوري | مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تناولت الدراسة تأثير التلدين على الخصائص التركيبية والكھربائية لأغشية ZnS الرقيقة المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري،وتم تحليل النتائج باستخدام حيود الأشعة السينية ودراسة تأثير ھول، أظھرت نتائج فحوصات الأشعة السينية بأن الأغشية المحضرة ھي من النوع متعدد التبلور وذات طور سداسي ، وان ھناك زيادة في درجة التبلور بعد المعالجة الحرارية حيث ازداد حجم الحبيبات البلورية وكانت عند القيم nm(4018-)وانخفضت قيم كثافة الانحراف(δ(dislocation density ضمن الحدودlines/cm (1012 1.6- 1012 10.1) ، ولوحظ تغير المقاومية الكھربائية مع الحرارة، إذ انخفضت المقاومية بمقدار ثلاث مرات عن قيمتھا قبل التلدين ، بالإضافة إلى تغير قيمة طاقة التنشيط بقيم تتراوح بين (1.11 -1.5)eV مع المعالجة الحرارية. ومن نتائج ھول اتضح بأن الأغشية المحضرة ھي من النوع السالب وذات تحركيه بحدود 160±10cm2/v.s. وھذه النتائج تؤكد حدوث تحسن في التركيب البلوري للأغشية بعد المعالجة الحرارية عند درجات 400,500)°C) نتيجة لتقليل العيوب البلورية.

Zinc Sulfide thin films have been deposited onto glass substrates by spray pyrolysis method, the films were analyzed by X-ray diffraction and Hall Effect measurments.XRD analysis of the deposited and annealed films showed that all the films have polycrystalline with hexagonal structure. The effect of heat treatment enhances the grain size and improves the crystalline of the films, the grain size is found to increased from (1840)nm, also the dislocation density (δ)decreased and in the range (1.6×1012 -1.01×1012)lines/cm. Electrical resistivity is changed after the films were exposed to heat treatment, the value of resistivity was decreased about (3) times than that before annealing. Moreover the activation energy was decreased (1.5-1.1)eV by heat treatment .Hall measurements proved that ZnS thin film is an n-type semiconductor with electron mobility around 160±10cm2/v.s. These results confirmed the improvement in crystallinity of the films with heat treatment at (400,500) °C because of decreasing crystal defects.
وصف العنصر: باللغة الانجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.