ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > بحث>الكفاءة العالية للخلايا الشمسي...>الوصف

الكفاءة العالية للخلايا الشمسية ذات الجيوب الكمية Alx Ga1-x As/GaAs

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Al Shekhli, Belal A. (Author)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 55 - 65
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 424744
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
مستخلصات الأبحاث | الخلايا الشمسية | تخمين الكثافة | كثافة التيار | البرامج الالكترونية | الطاقة الشمسية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم ايجاد تعبير تحليلي لاكبر كفاءة تحويل للخلية الشمسية ذات الحجيرات الكمية والنظام المتدرج في فجوة الطاقة تم تصميم برنامج حاسوبي لكي يماثل كثافة التيارو الاستجابة الطيفية وكفاءة التحويل .AlxGa1-xAs/GaAs للخلية المفترضة للتطوير ھذا النموذج، تم دراسة تاثير عدد الحجيرات. العوامل الكھروضوئية التي تمتحت ظروف الطيف . AM1.5D الحصول عليھا لخلية تحوي 50 حجيرة كمية ھي % 8.25 = Jsc =55 mA/cm2, Voc= .924 V, FF= .875 and ηالشمسي تم الحصول على تعزيز ملحوض في تيار الدائرة القصيرة وكفاءة التحويل. \

An analytical expression for the maximum obtainable photoconversion efficiency of graded band gap AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells solar cell was presented. Computer program WELL was designed to simulate the photocurrent density, spectral response and conversion efficiency to the proposed model. To improve this model, the effect of the number wells was studied. The photovoltaic parameters obtained from this model with 50 quantum wells are Jsc =55 mA/cm2, Voc= .924 V, FF= .875 and η= 52.8 % under AM1.5D solar spectrum conditions. Significant enhancements in short-circuit current and conversion efficiency have been obtained. AlxGa1-xAs/GaAs \
وصف العنصر: باللغة الانجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.