Influence of annealing temperature on electrical properties of PbSe/n-Si heterojunction devices
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | Hassan, Marwa Abd Almuhsien (Author) |
| المجلد/العدد: | ع 1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2012
|
| الصفحات: | 306 - 318 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 424878 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02880nam a22002057a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1073956 | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |9 33394 |a Hassan, Marwa Abd Almuhsien |e Author | ||
| 245 | |a Influence of annealing temperature on electrical properties of PbSe/n-Si heterojunction devices | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية |c 2012 | ||
| 300 | |a 306 - 318 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات | ||
| 500 | |a باللغة الانجليزية | ||
| 520 | |a في ھذا البحث، حضرت أغشية رقيقة من p-PbSe بتقنية التبخير الحراري في الفراغ في درجة حرارة الغرفة على قواعد من السليكون n-type silicon تحت ضغط 6-10 ملي بار. سمك الغشاء بحدود 600 nm. درس تأثير درجات حرارة التلدين (303, 333, 363 and 393) K على الخصائص الكھربائية للمفرق الھجين PbSe/n-Si. تم قياس الخصائص الكھربائيه التي شملت خصائص سعة-فولتية (C-V) وخصائص تيار-فولتية (I-V). ومن قياس سعة – فولتية اتضح أن المفرق من النوع الحاد وتم حساب جھد البناء الداخلي ( (Vbiمن خلال اخذ امتداد 1/C2-V الى النقطه (V=0) حيث بلغ (0.7V) عند درجة حرارة الغرفة، وتم حسابه تحت درجات حرارة تلدين مختلفة، بينما تم حساب عامل المثالية (β) من قياسات تيار- فولتية. |b - In the present work, p-PbSe thin films were prepared by using thermal evaporation technique at room temperature on n-type silicon substrate under vacuum of 10-6 mbar. Thickness of the film is 600 nm. The fabricated devices were subjected to post-deposition annealing at (303, 333, 363 and 393) K and 45 min. The effect of annealing temperature on the electrical properties of PbSe/n-Si junctions was studied. The electrical properties included the capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements. C-V characteristics suggest that the fabricated devices were abrupt type. The built in potential (Vbi) was determined by extrapolation from 1/C2-V curve to the point (V=0. It was equal to (0.7V) at room temperature and was calculated under different annealing temperatures, while from I-V measurements, the ideality factor (β) is calculated. | ||
| 653 | |a درجة الحرارة |a التبخير الحراري |a أغشية ppbse |a الطاقة الكهربائية |a التلدين |a مستخلصات الأبحاث | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 050 |l 001 |m ع 1 |o 1151 |s مجلة كلية التربية |t Journal of Faculty of Education |v 012 |x 1812-0380 | ||
| 856 | |u 1151-012-001-050.pdf | ||
| 930 | |d n |p y |q y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 424878 |d 424878 | ||
عناصر مشابهة
-
Study the effect of annealing temperature on optical properties of CdS thin films
بواسطة: Abed, Ali H. منشور: (2011) -
Influence of annealing temperature and deposition rate on the energy gap of CdSe thin films
بواسطة: Mohamed, Sahar Abd Alaziz منشور: (2010) -
Structure and Optical Properties for Lead Chalcoganides
بواسطة: Alwan, Tariq J. منشور: (2008) -
Design and Characterization of ZnSe / SeO2 Heterojunction Devices
بواسطة: سليمار، سوزان خالد منشور: (2022) -
Effect of Annealing Temperature on the Crystallographic and Optical Properties of ZnO Films
بواسطة: موسى، جعفر مطشر منشور: (2009)
