Effectof the direct current modulation on the relaxation oscillation and turn-on delay for a QWL In02, Ga8, As/GaAs
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | Nser, Nabeil (Author) |
| مؤلفين آخرين: | Mawlud, Saman (co-Auth) , Othman, Mazin (co-Auth) |
| المجلد/العدد: | ع 6 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2011
|
| الصفحات: | 478 - 490 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 426269 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | الإنجليزية |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02717nam a22002417a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1075794 | ||
| 041 | |a eng | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |9 43029 |a Nser, Nabeil |e Author | ||
| 245 | |a Effectof the direct current modulation on the relaxation oscillation and turn-on delay for a QWL In02, Ga8, As/GaAs | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية |c 2011 | ||
| 300 | |a 478 - 490 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات | ||
| 500 | |a مستخلص الدراسة باللغة العربية | ||
| 520 | |a في هذا البحث تم دراسة الخصائص الفيزيائية والمبادئ الاساسية لتضمين ثنائيات الليزر.\ خصائص التضمين المباشر\ لليزر ذات الجهد البئري In0.2Ga0.8As/GaAs تم دراسته بأستخدام برنامج محاكاة لأيجاد خواص الأخراج البصرية من خلال تضمين مباشر للتيار المستمر، نتائج خصائص الخرج لثنائي الليزر كانت 8.25 mA لتيار العتبة و 1.13 W/A للكفائة الكمية، وتم دراسة تغير التيار على تأخير الفتح و الغلق وتردد تذبذب الاسترخاء كدالة للتيار المستمر، حيث تم الحصول على تردد الأسترخاء تصل الى نطاق GHz و زمن تأخير للفتح والغلق يصل بحدود 0- .1nsec |b In this paper the basic physical aspects of laser diode modulation and the operating principles of the laser modulation were described. The direct modulation characteristics of a quantum well laser diode (QWL) In0.2Ga0.8As/GaAs is investigated theoretically using computer program to simulate the optical output of a semiconductor laser subjected to current modulation. The specific laser device output characteristics for threshold current of 8.25 mA and the slope efficiency 1.13 W/A were obtained. The effect of the DC current on the turn-on delay and the relaxation oscillation frequency as a function of the DC current for a variable number of biasing bits were studied, it was obtained that the relaxation oscillation reaches a GHz region and the turn-on delay will limited between 0-1nsec. | ||
| 653 | |a ثنائيات الليزر |a الخصائص الفيزيائية |a الخواص البصرية | ||
| 700 | |9 39811 |a Mawlud, Saman |e co-Auth | ||
| 700 | |9 43600 |a Othman, Mazin |e co-Auth | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 016 |l 006 |m ع 6 |o 1151 |s مجلة كلية التربية |t Journal of Faculty of Education |v 011 |x 1812-0380 | ||
| 856 | |u 1151-011-006-016.pdf | ||
| 930 | |d n |p y |q y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 426269 |d 426269 | ||
عناصر مشابهة
-
Effect of Temperature on the Physical Properties of Ingaasn/Gaas Quantum Well Laser Structures
بواسطة: Al Ghamdi, Mohammed Saad منشور: (2005) -
Study the themal propertiies of Ga As semiconductor laser by using Quantum Mechanics Semiempirical
بواسطة: Naif, Hanan Auda منشور: (2010) -
Photoluminescence from bulk GaN substrates
بواسطة: Al Rrshedan, Marrwa منشور: (2012) -
Study of Some Physical Properties of Ga-Sb-S Chalogenide Glassy Thin Films
بواسطة: الدهشان، علاء الدين إبراهيم حسين متولي منشور: (2003) -
Investigation of the physical properties of Tl2InGaSe4 crystals
بواسطة: Irshaid, Tahani Mohammad منشور: (2019)
