ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







يجب تسجيل الدخول أولا

Effectof the direct current modulation on the relaxation oscillation and turn-on delay for a QWL In02, Ga8, As/GaAs

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Nser, Nabeil (Author)
مؤلفين آخرين: Mawlud, Saman (co-Auth) , Othman, Mazin (co-Auth)
المجلد/العدد: ع 6
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2011
الصفحات: 478 - 490
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426269
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم دراسة الخصائص الفيزيائية والمبادئ الاساسية لتضمين ثنائيات الليزر. خصائص التضمين المباشر لليزر ذات الجهد البئري In0.2Ga0.8As/GaAs تم دراسته بأستخدام برنامج محاكاة لأيجاد خواص الأخراج البصرية من خلال تضمين مباشر للتيار المستمر، نتائج خصائص الخرج لثنائي الليزر كانت 8.25 mA لتيار العتبة و 1.13 W/A للكفائة الكمية، وتم دراسة تغير التيار على تأخير الفتح و الغلق وتردد تذبذب الاسترخاء كدالة للتيار المستمر، حيث تم الحصول على تردد الأسترخاء تصل الى نطاق GHz و زمن تأخير للفتح والغلق يصل بحدود 0- .1nsec

In this paper the basic physical aspects of laser diode modulation and the operating principles of the laser modulation were described. The direct modulation characteristics of a quantum well laser diode (QWL) In0.2Ga0.8As/GaAs is investigated theoretically using computer program to simulate the optical output of a semiconductor laser subjected to current modulation. The specific laser device output characteristics for threshold current of 8.25 mA and the slope efficiency 1.13 W/A were obtained. The effect of the DC current on the turn-on delay and the relaxation oscillation frequency as a function of the DC current for a variable number of biasing bits were studied, it was obtained that the relaxation oscillation reaches a GHz region and the turn-on delay will limited between 0-1nsec.

وصف العنصر: مستخلص الدراسة باللغة العربية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة