المستخلص: |
تم في هذا البحث تحضير كاشف المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) بإستخدم معدني الألمنيوم والذهب العاليي النقاوة (%99.999) كاتصال أومي باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. تمت معرفة الاستجابة الطيفية لهذا الكاشف وتم حساب أعلى قمتين لها وتساوي ( A/W, 0.220.196) عند الأطوال الموجية nm)500.850) وكذلك تم حساب الكفاءة الكمية والقدرة المكافئة للضوضاء والكشفية النوعية. ومن خلال الخصائص أعلاه تم تحديد المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) ككاشف للأشعة المرئية وجزء من الأشعة تحت الحمراء القريبة ضمن المدى الطيفي (300-nm1050).
In this research we have made the heterojunction device (p-CdTe/n-Si) by using Aluminum and Gold metals with high purity (99.999%) as O’hmic contact by vacuum thermal evaporation technique.The spectrum responsivity of this detector was measured, and the highest two peaks were calculated, which equivalent (0.22, 0.196 A/W) at wavelength (500, 850 nm), respectively, each of the quantum efficiency, noise equivalent power, detectivity and specific detectivity.From the characteristic above, the heterojunction (p-CdTe/n-Si) was determined as a detector of visible and a fraction of the near infrared light within the spectrum (300-1050 nm.(
|