ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Heterojunction at Visible and Near Infrared Region

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Hameed, Ahmed Shukur (Auth)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 512 - 520
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426313
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم في هذا البحث تحضير كاشف المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) بإستخدم معدني الألمنيوم والذهب العاليي النقاوة (%99.999) كاتصال أومي باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. تمت معرفة الاستجابة الطيفية لهذا الكاشف وتم حساب أعلى قمتين لها وتساوي ( A/W, 0.220.196) عند الأطوال الموجية nm)500.850) وكذلك تم حساب الكفاءة الكمية والقدرة المكافئة للضوضاء والكشفية النوعية. ومن خلال الخصائص أعلاه تم تحديد المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) ككاشف للأشعة المرئية وجزء من الأشعة تحت الحمراء القريبة ضمن المدى الطيفي (300-nm1050).

In this research we have made the heterojunction device (p-CdTe/n-Si) by using Aluminum and Gold metals with high purity (99.999%) as O’hmic contact by vacuum thermal evaporation technique.The spectrum responsivity of this detector was measured, and the highest two peaks were calculated, which equivalent (0.22, 0.196 A/W) at wavelength (500, 850 nm), respectively, each of the quantum efficiency, noise equivalent power, detectivity and specific detectivity.From the characteristic above, the heterojunction (p-CdTe/n-Si) was determined as a detector of visible and a fraction of the near infrared light within the spectrum (300-1050 nm.(

وصف العنصر: أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 1812-0380