ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Carrier Injection in Optically...>مارك

Carrier Injection in Optically Bistable Optoelectronic InSb Device

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Iltaif, Abd Alhussain K. (Author)
مؤلفين آخرين: Al Hilli, Baha'a A. M. (co-Auth)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 594 - 602
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426364
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
مستخلصات الأبحاث | الحاملات المحقونة | درجة الحرارة | النيتروجين | الإقلاب
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03261nam a22002177a 4500
001 1075943
044 |b العراق 
100 |9 34961  |a Iltaif, Abd Alhussain K.  |e Author 
245 |a Carrier Injection in Optically Bistable Optoelectronic InSb Device 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية  |c 2008 
300 |a 594 - 602  
336 |a بحوث ومقالات 
500 |a أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية  
520 |a في هذا البحث تم حساب عدد الحاملات المحقونة، التيار والفولتية اللازمة لإنجاز عملية الإقلاب (الفتح والغلق) في الانديوم انتمونايد. حيث وجد بان تركيز الحوامل المحقونة عند درجة حرارة الغرفة اكبر بكثير من ذلك عند درجة حرارة النيتروجين السائل. كذلك فان الانحياز المسلط يزداد خطيا مع زيادة تركيز الحوامل المحقونة. أوضحت النتائج أن العلاقة بين لوغاريتم التيار مقابل تركيز الحوامل يزداد خطيا وان معدل زيادة التيار ثابت. إضافة لذلك عند درجة حرارة النيتروجين السائل ولانحياز مسلط mV 143فان متطلبات الحقن الكلية لإنجاز عملية الإقلاب تتحقق بمقدار mA 0.6، مقارنة لمتطلبات حقن في مدى الامبيرات للتماسات التي تصنع بالطرق المألوفة. وهكذا تزداد كفاءة الحقن إلى حد كبير باستعمال وصلة p + -n ٠ وعليه فان القدرة المطلوبة لإنجاز عملية الإقلاب عند درجة K ٧٧ أقل بكثير من تلك عند درجة حرارة k300.  |b In this study, the required injected carrier's number, current, and voltage to achieve switching dynamics in n-type InSb has been calculated theoretically. It is found that the required injected concentration at room temperature is much larger than that at liquid nitrogen temperature and the applied bias voltage and current increase linearly with increasing the injected concentration .Results show that ,the relation between the logarithm of the current versus applied bias is linear .At 77 K, for an applied bias of 143 mV the entire injection requirements to achiev switching dynamics are satisfied by 0.6mA compared with a requirement in the range of amperes for contacts which are not fabricated to be injecting. Thus, the efficiency of injection increases considerably when a p+-n junction was used. Also, the required power to achieve switching in InSb increased as temperature increased. 
653 |a مستخلصات الأبحاث   |a الحاملات المحقونة   |a درجة الحرارة   |a النيتروجين   |a الإقلاب  
700 |9 12801  |a Al Hilli, Baha'a A. M.  |e co-Auth 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 033  |l 003  |m ع 3  |o 1151  |s مجلة كلية التربية  |t Journal of Faculty of Education  |v 008  |x 1812-0380 
856 |u 1151-008-003-033.pdf 
930 |d n  |p y 
995 |a EduSearch 
999 |c 426364  |d 426364 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.