دراسة تأثير درجة حرارة التلدين على الانتقالات الإلكترونية لأغشية Sno2 المشوب بـ Ag2o المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
| المصدر: | مجلة كلية التربية الأساسية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية |
| المؤلف الرئيسي: | خلف، أمال أحمد (مؤلف) |
| المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Kala, Amal A. |
| المجلد/العدد: | ع 49 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2006
|
| الصفحات: | 507 - 518 |
| ISSN: |
8536-2706 |
| رقم MD: | 429920 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02638nam a22001937a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1081023 | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |a خلف، أمال أحمد |g Kala, Amal A. |e مؤلف |9 220058 | ||
| 245 | |a دراسة تأثير درجة حرارة التلدين على الانتقالات الإلكترونية لأغشية Sno2 المشوب بـ Ag2o المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية |c 2006 | ||
| 300 | |a 507 - 518 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات | ||
| 520 | |a حضرت أغشية SnO2 وأغشية SnO2 المشوبة بـــ Ag2O الرقيقة وبالنسب، الوزنية (3 %، 5%) باستخدام طريقة الترسيب الكيميائي الحراري على قواعد من زجاج البوروسليكات عند درجة حرارة (ºC 500). تمت دراسة نمط حيود الأشعة السينية للأغشية المحضرة وبدرجات حرارة تلدين ºC (620، 580، 540). إذ أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية أن الأغشية ذات تركيب بلوري متعدد التبلور. اشتملت الدراسة تأثير درجة حرارة التلدين على فجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات اللالكترونية المباشرة إذ تبين أن زيادة درجة حرارة التلدين تسببت في نقصان فجوة الطاقة الممنوعة. |b Thin films of SnO2 doped by silver oxide Ag2O with ratio (3%, 5%) were prepared using chemical spray technique on borosilicate glass bases at temperature about (500ºC). The X-Ray diffraction technique used to examined the prepared thin films and for that annealed at the degree (450,580, 620)C, the X-ray results showed that all prepared films are polycrystalline. The study showed that the annealing processes on the films at different temperature cause decrease in the direct energy gap. | ||
| 653 | |a الانتقالات الإلكترونية |a الفيزياء |a الأغشية الرقيقة |a طريقة الترسيب الكيميائي الحراري |a درجة الحرارة |a حرارة التلدين |a الإلكترونات |a المركبات الكيميائية | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 023 |e Journal of the Faculty of Basic Education |f Maǧallaẗ kulliyyaẗ al-muʻallimīn |l 049 |m ع 49 |o 1156 |s مجلة كلية التربية الأساسية |v 000 |x 8536-2706 | ||
| 856 | |u 1156-000-049-023.pdf | ||
| 930 | |d n |p y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 429920 |d 429920 | ||
عناصر مشابهة
-
دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبية لأغشية ZnS المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: صنبع، صبري عليوي منشور: (2011) -
دراسة تأثير السمك على الانتقالات الإلكترونية لأغشية أوكسيد التيتانيوم Tio2 المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: ضبع، صبرية عليوي منشور: (2006) -
تأثير أشعة كاما على الانتقالات الإلكترونية لأغشية SnO2 الرقيقة والمشوبة بالفلور والمحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: جياد، سامي سلمان منشور: (2008) -
دراسة الانتقالات الإلكترونية والخواص البصرية لأغشية وأكسيد النحاس المشوب بالأنديوم بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: خلف، أمال أحمد منشور: (2006) -
تأثير التشعيع على الانتقالات الإلكترونية لأغشية كبريتات الكادميوم الرقيقة المشوبة بالفضة والمحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: حبوبي، نادر فاضل منشور: (2006)
