ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > مقارنة نظرية للتصرف الديناميكي...>الوصف

مقارنة نظرية للتصرف الديناميكي بين ليزر شبه الموصل الاعتيادي وليزر بئر الجهد الكمي SQW Ga As / AI Ga As لضخ بلورة ND: Y VO4 Crystal

العنوان بلغة أخرى: Theoretical Comparison of the Dynamical Behavior between Bulk and SQW GaAs/AlGaAs Laser with pumping of Nd: YVO4 Crystal
المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: أحمد، ضحى سعدي (مؤلف)
المجلد/العدد: ع 62
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 111 - 123
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 430182
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الديناميكا | أشعة الليزر | مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: الجزء النظري تضمن مقارنة نظرية للتصرف الديناميكي لليزر شبه الموصل الاعتيادي وليزر بئر الجهد الكمي حيث تم دراسة كل من موديل قمة الكسب وكثافة تيار العتبة مع تغير سمك المنطقة الفعالة ( d=0.02 μm، to 0.3 ) عند انعكاسية R=0.32and 0.8 وعرض Lz=200,150,100,75 Ǻ لليزر SQW مع فجوة طاقة مستمرة 0.1eV ΔEc لكلا نوعي الليزر عند درجة حرارة T=300K بالنسبة لليزر لليزر شبه الموصل الاعتيادي فقد كانت اعلى قيمة لموديل قمة الكسب gmax=240 cm-1 وان الزيادة في الانعكاسية يقلل قيمة كثافة تيار العتبة بينما زيادة سمك المنطقة الفعالة عند انعكاسية ثابتة يزيد من قيمة كثافة تيار العتبة ، بالنسبة لليزر ليزر بئر الجهد الكمي SQW وجد ان قيمة لموديل قمة الكسب cm-1 gmax=400 عند Lz=75 Ǻ ، وان أقل قيمة لتحقيق النفاذية Ntr=0.5x1018 cm-3 عند Lz=200 Ǻ ، وان أفضل قيمة لعرض الجدار الكمي SQW لتحقيق اقل قيمة لكثافة تيار العتبة تقدر Jth=481.5 A/cm2 في الجزء العملي تم استخدام ليزر ثنائي الوصلة الاعتيادي المستمر بطول موجي (2Watt) 808nm وليزر الجدار الكمي SQW بطول موجي (1Watt) 810nm كمصدر ضخ لبلورة Nd:YVO4 ذات أبعاد (4x5x1mm) مع مرارة خرج ذات انعكاسية % 90 وقيمة Roc=400mm باستخدام تقنية V-shape وقد وجدان افضل طول ذات انعكاسية %90 وقيمة Roc=400mm باستخدام تقنية V-shape وقد وجدان افضل طول مرنان لتحقيق اقصى قدرة خارجة (58mW) هي (14.5cm) مع كفاءة ميل للقدرة الخارجة بحدود %11.3 باستخدام ليزربئر الجهد الكمي SQW اما عند استخدام ليزر ثنائي الوصلة فقد وجد ان الكفاءة تصل الى %3.2 مع اعظم قدرة خارجة بحدود (29mW) وبذلك نلاحظ ان ليزربئر الجهد الكمي SQW اكثر كفاءة واستقرارية لضخ ليزر الوسط الحساب .

In this work, a theoretical comparison was made for the dynamical behavior of the bulk and SQW GaAs/AlGaAs lasers, in which the peak modal gain and threshold current density are studied with varying the active region thickness d=(0.02to 0.3)μm at two reflectivities of (R=0.32 and0.8) and the well widths Lz=(200, 150, 100, and 75) Ǻ for the SQW laser, both at a bandgap discontinuity of ΔEc of 0.1 eV and at a temperature of T=300oK. It was found that the highest value of bulk laser of the peak modal gain is gmax=240 cm-1 and that the increasing of the facet reflectivity will be minimized the value of the threshold current density, while increasing the value of the thickness of the active region at fixed reflectivity will result in an increase in the value of the threshold current density, while for the SQW laser it was found that the highest value of the peak modal gain gmax=400 cm-1 is achieved at Lz=75 Ǻ, the lower value to achieve transparency Ntr=0.5×1018 cm-3 at Lz=200 Ǻ, and that the optimum value for QW width to achieve the lower threshold current density Jth=481.5 A/cm2 at the same injected carrier density is Lz=100 Ǻ. In the experimental work as an application 808 nm (2Watt) bulk and 810 nm (1Watt) QW laser used as pumping sources to a Nd: YVO4 Disk crystal with dimensions of (4*5*1 mm) with an output coupler with 90% reflectivity, and ROC=400mm using V-shape technique. From the experimental work the optimum resonator length was found to be 14.5 cm which achieves a maximum output power of 58 mW, with a slope efficiency of 11.3%, using bulk diode laser the efficiency was found to be 3.2%, with a maximum output power of 29 mW, this draws us to the fact that QW laser source is more efficient and suitable for pumping solid state media. Keywords: GaAs/AlGaAs diode laser, Peak gain, Threshold current density, Diode pumping, Nd:YVO4, Face pumping.
وصف العنصر: ملخص لبحث منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 8536-2706

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.