ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > الخصائص التركيبية والأنتقالات...>مارك

الخصائص التركيبية والأنتقالات الألكترونية لأغشية ZnO:Cd

العنوان بلغة أخرى: The Structural Properties and Electronic Transition of ZnO:Cd Films
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: مشجل، خضير عباس (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Mishjil, Khudheir A.
مؤلفين آخرين: عبد، هدى نجم (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع5
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2015
الصفحات: 11 - 28
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 826237
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الكيمياء الحرارية | التفاعلات الكيميائية | الكيمياء الفيزيائية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03857nam a22002417a 4500
001 1584409
041 |a ara 
044 |b العراق 
100 |a مشجل، خضير عباس  |g Mishjil, Khudheir A.  |e مؤلف  |9 315565 
245 |a الخصائص التركيبية والأنتقالات الألكترونية لأغشية ZnO:Cd 
246 |a The Structural Properties and Electronic Transition of ZnO:Cd Films 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية  |c 2015 
300 |a 11 - 28 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |a تم دراسة الخصائص التركيبية والانتقالات الإلكترونية لأغشية أوكسيد الخارصين غير المشوبة والمشوبة بالكادميوم والمحضرة بتقنية التحلل الكيميائي الحراري، إذ تم ترسيبها على قواعد من الزجاج بدرجة حرارة (400°C) وبنسب تشويب مختلفة % (2.4.6.8) وبسمك بحدود nm) 10 ± 360). وبينت نتائج حيود الأشعة السينية أن كافة الأغشية المحضرة متعددة التبلور، وتمتلك تركيباً من النوع السداسي المحكم، والاتجاه السائد (002)، وعند التشويب بالكادميوم يتغير الاتجاه السائد إلى (101). أن معدل حجم البلوريات في حالة التشويب قد قل من (22nm) إلى (17nm) مع زيادة نسبة التشويب ومن خلال صور مجهر القوة الذرية (AFM) أن هنالك اختلافا في طبيعة سطوح الأغشية المحضرة وان قيم معدل خشونة السطح تقل مع زيادة نسبة التشويب أذ كان معدل خشونة السطح للأغشية غير المشوبة (1.37nm) ومع زيادة نسبة التشويب أصبحت (0.57nm). وشملت الفحوصات البصرية معامل الأمتصاص، وأيضا فجوة الطاقة البصرية للأنتقال الإلكتروني المباشر المسموح للأغشية غير المشوبة (3.20eV)، وتقل قيمتها إلى 3.10) ( eVعند أعلى نسبة تشويب (%8). 
520 |b The Structural and electronic transition of zinc oxide films and Cadmium doped ZnO prepared by chemical spray pyrolysis technique on the glass substrates heated at (400°C) by a different ratios (2,4,6,8)% and the thickness was in the range of (360 ± 10) nm. The results of (XRD) showed that all the films were polycrystalline and have a hexangonal wurtzite structure with a preferred orientation along (002) plane, and doping of Cadmium change the orientation along (101). Doping with Cadmium was led to change the preferred to (101) plan with the increase the doping percentage, while the average crystallite size was decreased from (22nm) to (17nm) by increasing the doping percentage, also the (AFM) images showed that the surface roughness of the films decreased with increasing (Cd) concentration from (1.37nm) for the undoped to (0.57nm) .while the root mean square (RMS) decrease with the increase of doping percentage. The optical parameters include the absorption coefficient, forbidden energy gap of direct allowed transition (3.20eV) while the increase in doping decrease energy gap to (3.10eV) for doping(8%). 
653 |a الكيمياء الحرارية  |a التفاعلات الكيميائية  |a الكيمياء الفيزيائية 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 001  |l 005  |m ع5  |o 1151  |s مجلة كلية التربية  |t Journal of Faculty of Education  |v 015  |x 1812-0380 
700 |a عبد، هدى نجم  |g Abed, Huda N  |e م. مشارك  |9 442911 
856 |u 1151-015-005-001.pdf 
930 |d n  |p y  |q n 
995 |a EduSearch 
999 |c 826237  |d 826237 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.