In-Depth Simulation Analysis Of The Si-Sio2 Interface Traps By The Charge Pumping

المصدر:	مجلة آفاق علمية
الناشر:	المركز الجامعي أمين العقال الحاج موسى أق أخموك بتامنغست
المؤلف الرئيسي:	Sellami, M. (Author)
مؤلفين آخرين:	Sellami, A. (Co-Author)
المجلد/العدد:	ع10
محكمة:	نعم
الدولة:	الجزائر
التاريخ الميلادي:	2015
الشهر:	جوان
الصفحات:	1 - 9
DOI:	10.35554/1697-000-010-001
ISSN:	1112-9336
رقم MD:	1029376
نوع المحتوى:	بحوث ومقالات
اللغة:	الإنجليزية
قواعد المعلومات:	EduSearch
مواضيع:	الكهرباء \| الهندسة \| مضخة الشحن
كلمات المؤلف المفتاحية:	Si-SiO2 Interface \| Fast States \| Slow States \| Defect Profile \| Charge Pumping
رابط المحتوى:	الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

LEADER	01576nam a22002417a 4500
001	1766894
024		\|3 10.35554/1697-000-010-001
041		\|a eng
044		\|b الجزائر
100		\|9 47281 \|a Sellami, M. \|e Author
245		\|a In-Depth Simulation Analysis Of The Si-Sio2 Interface Traps By The Charge Pumping
260		\|b المركز الجامعي أمين العقال الحاج موسى أق أخموك بتامنغست \|c 2015 \|g جوان
300		\|a 1 - 9
336		\|a بحوث ومقالات \|b Article
520		\|b The purpose of this work is to contribute to a better electrical characterization of the Silicon-Oxide interface By the Three level charge pmping. The introduction of a third voltage level in the gate pulse gives access to the same parameters as the two charge pumping but requires less simplifying assumptions. We show that the three charge pumping and its variants are powerful tools to determine the Dit (E) and σ (E) distribution. The simulated results are in a good agreement with recent and different experimental results
653		\|a الكهرباء \|a الهندسة \|a مضخة الشحن
692		\|b Si-SiO2 Interface \|b Fast States \|b Slow States \|b Defect Profile \|b Charge Pumping
773		\|4 العلوم الإنسانية ، متعددة التخصصات \|6 Humanities, Multidisciplinary \|c 001 \|e Afak Ilmia Review \|f āfāq ՙilmiyaẗ \|l 010 \|m ع10 \|o 1697 \|s مجلة آفاق علمية \|v 000 \|x 1112-9336
700		\|9 557706 \|a Sellami, A. \|e Co-Author
856		\|u 1697-000-010-001.pdf
930		\|d n \|p y
995		\|a EduSearch
999		\|c 1029376 \|d 1029376