ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







The Conductance Calculation of Silicene Field Effect Transistor

العنوان بلغة أخرى: حسابات الموصلية للترانسستور (FET ) المصنع من مادة السيليسين
المؤلف الرئيسي: معالي، فاطمة هلال هليل (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Maalee, Fatima Hilal Heliel
مؤلفين آخرين: السعيد، محمد (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2018
موقع: نابلس
الصفحات: 1 - 43
رقم MD: 1248054
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة النجاح الوطنية
الكلية: كلية الدراسات العليا
الدولة: فلسطين
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: قمنا في هذه الأطروحة بحساب تركيز النواقل الموجودة في صفيحة السيليسين المستعملة كقناة توصيل في قطعة الترانسستور (FET) واعتمادها على جهد البوابة(??) ودرجة الحرارة. تم أيضا عرض حسابات تحليلية وتفصيلية لموصلية الصفيحة باستخدام صيغة لانداور (Landauer) وتحت تأثير مجال كهربائي خارجي وعامودي على الصفيحة والأخذ بعين الاعتبار التأثير الناتج عن ظاهرة التفاعل ما بين حركتي الإلكترون: المغزلية والمدارية. أظهرت نتائج الدراسة أهمية تأثير العاملين المذكورين على الخواص المادية لصفيحة السيليسين مثل: الموصلية والحزم البنونية وكثافة المستويات.

عناصر مشابهة