العنوان بلغة أخرى: |
حسابات الموصلية للترانسستور (FET ) المصنع من مادة السيليسين |
---|---|
المؤلف الرئيسي: | معالي، فاطمة هلال هليل (مؤلف) |
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): | Maalee, Fatima Hilal Heliel |
مؤلفين آخرين: | السعيد، محمد (مشرف) |
التاريخ الميلادي: |
2018
|
موقع: | نابلس |
الصفحات: | 1 - 43 |
رقم MD: | 1248054 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النجاح الوطنية |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
الدولة: | فلسطين |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
قمنا في هذه الأطروحة بحساب تركيز النواقل الموجودة في صفيحة السيليسين المستعملة كقناة توصيل في قطعة الترانسستور (FET) واعتمادها على جهد البوابة(??) ودرجة الحرارة. تم أيضا عرض حسابات تحليلية وتفصيلية لموصلية الصفيحة باستخدام صيغة لانداور (Landauer) وتحت تأثير مجال كهربائي خارجي وعامودي على الصفيحة والأخذ بعين الاعتبار التأثير الناتج عن ظاهرة التفاعل ما بين حركتي الإلكترون: المغزلية والمدارية. أظهرت نتائج الدراسة أهمية تأثير العاملين المذكورين على الخواص المادية لصفيحة السيليسين مثل: الموصلية والحزم البنونية وكثافة المستويات. |
---|