LEADER |
02468nam a2200313 4500 |
001 |
1998412 |
041 |
|
|
|a eng
|
100 |
|
|
|9 665886
|a معالي، فاطمة هلال هليل
|e مؤلف
|g Maalee, Fatima Hilal Heliel
|
245 |
|
|
|a The Conductance Calculation of Silicene Field Effect Transistor
|
246 |
|
|
|a حسابات الموصلية للترانسستور (FET ) المصنع من مادة السيليسين
|
260 |
|
|
|a نابلس
|c 2018
|
300 |
|
|
|a 1 - 43
|
336 |
|
|
|a رسائل جامعية
|
502 |
|
|
|b رسالة ماجستير
|c جامعة النجاح الوطنية
|f كلية الدراسات العليا
|g فلسطين
|o 3814
|
520 |
|
|
|a قمنا في هذه الأطروحة بحساب تركيز النواقل الموجودة في صفيحة السيليسين المستعملة كقناة توصيل في قطعة الترانسستور (FET) واعتمادها على جهد البوابة(??) ودرجة الحرارة. تم أيضا عرض حسابات تحليلية وتفصيلية لموصلية الصفيحة باستخدام صيغة لانداور (Landauer) وتحت تأثير مجال كهربائي خارجي وعامودي على الصفيحة والأخذ بعين الاعتبار التأثير الناتج عن ظاهرة التفاعل ما بين حركتي الإلكترون: المغزلية والمدارية. أظهرت نتائج الدراسة أهمية تأثير العاملين المذكورين على الخواص المادية لصفيحة السيليسين مثل: الموصلية والحزم البنونية وكثافة المستويات.
|
653 |
|
|
|a مادة السيليسين
|a العلوم الفيزيائية
|a الحسابات الموصلية
|a حركة الإلكترون
|a الجال الكهربائي
|
700 |
|
|
|a السعيد، محمد
|g Elsaid, Mohammad K.
|e مشرف
|9 660322
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-T.pdf
|y صفحة العنوان
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-A.pdf
|y المستخلص
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-C.pdf
|y قائمة المحتويات
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-F.pdf
|y 24 صفحة الأولى
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-1.pdf
|y 1 الفصل
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-2.pdf
|y 2 الفصل
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-3.pdf
|y 3 الفصل
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-4.pdf
|y 4 الفصل
|
856 |
|
|
|u 9808-010-001-3814-R.pdf
|y المصادر والمراجع
|
930 |
|
|
|d y
|
995 |
|
|
|a Dissertations
|
999 |
|
|
|c 1248054
|d 1248054
|