ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الخصائص التركيبية والانتقالات الالكترونية لأغشية (SNO2) المشوبة بالنحاس (CU) والمحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: مشجل، خضير عباس (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Mishjil, Khudheir A.
مؤلفين آخرين: عبود، محمود موفق (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 225 - 237
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 425422
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03149nam a22002177a 4500
001 1074787
041 |a ara 
044 |b العراق 
100 |a مشجل، خضير عباس  |g Mishjil, Khudheir A.  |e مؤلف  |9 315565 
245 |a الخصائص التركيبية والانتقالات الالكترونية لأغشية (SNO2) المشوبة بالنحاس (CU) والمحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية  |c 2012 
300 |a 225 - 237 
336 |a بحوث ومقالات 
520 |a حضرت أغشية ثنائي أوكسيد القصدير ( (SnO2غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب التشويب الحجمية %(7 ,5 ,3 ,1) بطريقة التحلل الكيميائي الحراري، على قواعد زجاجية بدرجة حرارة (773K)، وبمعدل رش (10ml/min)، وكان سمك الاغشية المحضرة بحدود (0.4±0.01)µm. \ أظهرت نتائج فحوصات الأشعة السينية أن الأغشية المحضرة كافة كانت ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع الرباعي وبالاتجاه السائد (110)، وقد أدى التشويب إلى زيادة شدة الاتجاه (110) عن قيمته قبل التشويب لنسب التشويب كافة، بينما تناقص معدل الحجم الحبيبي بزيادة نسب التشويب بالنحاس مع تغير قليل في قيم ثوابت الشبيكة. \ تم حساب فجوة الطاقـة البصرية للانتقالات الالكترونية المباشرة وقد وجد بانها تقل بزيادة نسبة التشويب بالنحاس.  |b Undoped and Cu-doped SnO2 with doping percentage of (1,3,5,7)% have been prepared by chemical spray pyrolysis method on a glass substrate at a temperature of (773K), with spray rate (10 ml/min), and the thickness of the prepared film about (0.4±0.01)µm. \ XRD analysis showed that all the films were polycrystalline in nature with a tetragonal structure and a preferred orientation along (110) plane, and the doping with (Cu) led to an increase in the intensity of (110) peak, while the average grain size was decreased with increasing (Cu) concentration, and slightly change was observed in lattice constants. The optical band gap for direct transition is decreased as the doping percentage increased. 
653 |a الأغشية الرقيقة  |a التحلل الكيميائي الحراري  |a أغشية SNO2  |a النحاس  |a المركبات الكيميائية   |a التطبيقات الالكترونية   |a الأشعة السينية   |a البلورة   |a فجوة الطاقة البصرية   |a الانتقال الالكتروني 
700 |9 271002  |a عبود، محمود موفق  |e م. مشارك 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 019  |l 003  |m ع 3  |o 1151  |s مجلة كلية التربية  |t Journal of Faculty of Education  |v 012  |x 1812-0380 
856 |u 1151-012-003-019.pdf 
930 |d n  |p y  |q y 
995 |a EduSearch 
999 |c 425422  |d 425422