structural characterization of magnetron sputtered ZNo : in thin films
| العنوان المترجم: |
structural characterization of magnetron sputtered ZNo: in thin films |
|---|---|
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | هزاز، صلاح قدوري (مؤلف) |
| المجلد/العدد: | ع 3 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2009
|
| الصفحات: | 930 - 942 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 428449 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02563nam a22002177a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1078795 | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |9 329403 |a هزاز، صلاح قدوري |e مؤلف | ||
| 242 | |a structural characterization of magnetron sputtered ZNo: in thin films | ||
| 245 | |a structural characterization of magnetron sputtered ZNo : in thin films | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية |c 2009 | ||
| 300 | |a 930 - 942 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات |b Article | ||
| 500 | |a باللغة الانجليزية | ||
| 520 | |a تم في هذا البحث دراسة تأثير زيادة زمن الترذيذ على الخصائص التركيبية لأغشية ZnO: In من خلال حيود الأشعة السينية ظهرت لنا اعتماد شدة القسم والاتجاهات المتسيدة على زمن الترذيذ. ومن قياس عامل التركيب وجد إن المستوى (002) هو المتسيد في غشاء ZnO:In. تم حساب سمك الأغشية باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح. لوحظ زيادة سمك الغشاء وحجم الحبيبة مع زيادة زمن الترذيذ. وأن اجهادات الشد في جميع الأغشية كانت ناتجة من نقصان محور C، أما بالنسبة للمطاوعة فإنها تزداد مع زيادة زمن الترذيذ في مستوى كل غشاء. |b The effects of increasing sputtering time on the structure of ZnO:In films are studied. XRD ray test illustrates the dependence of preferred orientation and the diffraction peak intensities on the sputtering time. From texture coefficient measurements the preferred orientation of ZnO:In films is (002) plane. SEM photographs are used to calculate films' thicknesses. Grain sizes and films' thicknesses were found to increased with increasing sputtering time. The tensile stresses found in all films were due to decrement of the c-axis values, and the strain in the plane of each film increases with increasing sputtering time. | ||
| 653 | |a الاجهزة الالكترونية |a الكيمياء |a المعادلات الكيميائية |a التراكيب الكيميائية |a التحليل الكيميائي |a مستخلصات الابحاث | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 062 |l 003 |m ع 3 |o 1151 |s مجلة كلية التربية |t Journal of Faculty of Education |v 009 |x 1812-0380 | ||
| 856 | |u 1151-009-003-062.pdf | ||
| 930 | |d n |p y |q y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 428449 |d 428449 | ||
عناصر مشابهة
-
effect of incident wavelength on the opical condyuctctivity skin depth and carrier coneentration of the sputtered cdo thin film
بواسطة: مهدي، محمد س. منشور: (2009) -
Crystal growth of Bi2 Se3 and determination of lattice parameters for ingot and thin film deduced by Hull Davey transformation
بواسطة: Abd-Al. Kathum, A. H منشور: (2009) -
synthesis of new 4,5 dihydro 1- h imidazole -2- theol derivatives
بواسطة: Al Bayati, Redha I. H. منشور: (2009) -
modify additive lees filter for filtering images corrupted by film grain noise
بواسطة: حامد، بيداء منشور: (2009) -
Tuning of Morphological, Structural and Optical Properties of α-Fe2O3 Nanoparticles by Precursor Concentration
بواسطة: الشعيبى، عادل منشور: (2020)
