ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين (p-CdTe/n-Si)

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: حميد، احمد شكر (مؤلف)
مؤلفين آخرين: عباس، خلدون ناجي (م. مشارك), عبد، أحمد ناجي (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2009
الصفحات: 651 - 664
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 677818
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تم تصنيع المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si)، وقد استخدم معدني الألمنيوم والذهب العاليي النقاوة (99.999%) كاتصال أومي باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. وقد تم إيجاد عامل المثالية (n) وتيار الإشباع (Io) عند درجات حرارية مختلفة (100, 200, 300K) من خلال قياسات التيار – الفولتية. أما قياسات السعة – الفولتية فقد تم من خلالها إيجاد جهد البناء الداخلي (Vbi) وكثافة الشوائب القابلة (NA) والفرق بين مستوى فيرمي وحافة حزمة التوصيل (n) والفرق بين مستوى فيرمي وحافة حزمة التكافؤ (p) ولا استمرارية في حزمة التوصيل (EC) ولا استمرارية في حزمة التكافؤ (EV) وعرض منطقة النضوب لشبه الموصل المانح (Xn) وعرض منطقة النضوب لشبه الموصل القابل (Xp) للمفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) للترددات (1,0.5,0.2MHz) .

In this research we have made the heterojunction device (p CdTe/n-Si) by using Aluminum and Gold metals with high purity (99.999%) as O’hmic contact by vacuum thermal evaporation technique. From I-V measurements the ideality factor (n) and saturation current (Io) has been found in different temperature (100, 200, 300K). Through C-V measurements we found built – in potential (Vbi), the acceptor density (NA), the difference between Fermi level and conduction band (n), the difference between Fermi level and valance band (p), the conduction band discontinuity (EC), the valence band discontinuity (EV) and the depletion regions width (Xn, Xp) to heterojunction (p-CdTe/n-Si) of the frequencies (1,0.5,0.2MHz).

ISSN: 1812-0380