المصدر: | مجلة كلية التربية |
---|---|
الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
المؤلف الرئيسي: | حميد، احمد شكر (مؤلف) |
مؤلفين آخرين: | عباس، خلدون ناجي (م. مشارك) , عبد، أحمد ناجي (م. مشارك) |
المجلد/العدد: | ع1 |
محكمة: | نعم |
الدولة: |
العراق |
التاريخ الميلادي: |
2009
|
الصفحات: | 651 - 664 |
ISSN: |
1812-0380 |
رقم MD: | 677818 |
نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
اللغة: | العربية |
قواعد المعلومات: | EduSearch |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
المستخلص: |
في هذا البحث تم تصنيع المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si)، وقد استخدم معدني الألمنيوم والذهب العاليي النقاوة (99.999%) كاتصال أومي باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. وقد تم إيجاد عامل المثالية (n) وتيار الإشباع (Io) عند درجات حرارية مختلفة (100, 200, 300K) من خلال قياسات التيار – الفولتية. أما قياسات السعة – الفولتية فقد تم من خلالها إيجاد جهد البناء الداخلي (Vbi) وكثافة الشوائب القابلة (NA) والفرق بين مستوى فيرمي وحافة حزمة التوصيل (n) والفرق بين مستوى فيرمي وحافة حزمة التكافؤ (p) ولا استمرارية في حزمة التوصيل (EC) ولا استمرارية في حزمة التكافؤ (EV) وعرض منطقة النضوب لشبه الموصل المانح (Xn) وعرض منطقة النضوب لشبه الموصل القابل (Xp) للمفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) للترددات (1,0.5,0.2MHz) . In this research we have made the heterojunction device (p CdTe/n-Si) by using Aluminum and Gold metals with high purity (99.999%) as O’hmic contact by vacuum thermal evaporation technique. From I-V measurements the ideality factor (n) and saturation current (Io) has been found in different temperature (100, 200, 300K). Through C-V measurements we found built – in potential (Vbi), the acceptor density (NA), the difference between Fermi level and conduction band (n), the difference between Fermi level and valance band (p), the conduction band discontinuity (EC), the valence band discontinuity (EV) and the depletion regions width (Xn, Xp) to heterojunction (p-CdTe/n-Si) of the frequencies (1,0.5,0.2MHz). |
---|---|
ISSN: |
1812-0380 |