ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة الخصائص الكهربائية للمفر...>مارك

دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين (p-CdTe/n-Si)

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: حميد، احمد شكر (مؤلف)
مؤلفين آخرين: عباس، خلدون ناجي (م. مشارك) , عبد، أحمد ناجي (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2009
الصفحات: 651 - 664
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 677818
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) | علم الفيزياء
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 02889nam a22002297a 4500
001 0075793
041 |a ara 
044 |b العراق 
100 |9 216565  |a حميد، احمد شكر  |e مؤلف 
245 |a دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية  |c 2009 
300 |a 651 - 664 
336 |a بحوث ومقالات 
520 |a في هذا البحث تم تصنيع المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si)، وقد استخدم معدني الألمنيوم والذهب العاليي النقاوة (99.999%) كاتصال أومي باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. \ وقد تم إيجاد عامل المثالية (n) وتيار الإشباع (Io) عند درجات حرارية مختلفة (100, 200, 300K) من خلال قياسات التيار – الفولتية. \ أما قياسات السعة – الفولتية فقد تم من خلالها إيجاد جهد البناء الداخلي (Vbi) وكثافة الشوائب القابلة (NA) والفرق بين مستوى فيرمي وحافة حزمة التوصيل (n) والفرق بين مستوى فيرمي وحافة حزمة التكافؤ (p) ولا استمرارية في حزمة التوصيل (EC) ولا استمرارية في حزمة التكافؤ (EV) وعرض منطقة النضوب لشبه الموصل المانح (Xn) وعرض منطقة النضوب لشبه الموصل القابل (Xp) للمفرق الهجين (p-CdTe/n-Si) للترددات (1,0.5,0.2MHz) .  |b In this research we have made the heterojunction device (p CdTe/n-Si) by using Aluminum and Gold metals with high purity (99.999%) as O’hmic contact by vacuum thermal evaporation technique. From I-V measurements the ideality factor (n) and saturation current (Io) has been found in different temperature (100, 200, 300K). \ Through C-V measurements we found built – in potential (Vbi), the acceptor density (NA), the difference between Fermi level and conduction band (n), the difference between Fermi level and valance band (p), the conduction band discontinuity (EC), the valence band discontinuity (EV) and the depletion regions width (Xn, Xp) to heterojunction (p-CdTe/n-Si) of the frequencies (1,0.5,0.2MHz). 
653 |a المفرق الهجين (p-CdTe/n-Si)  |a علم الفيزياء 
700 |a عباس، خلدون ناجي  |g Abbas, Khaldoon N  |e م. مشارك  |9 257890 
700 |9 258374  |a عبد، أحمد ناجي  |e م. مشارك 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 018  |l 001  |m ع1  |o 1151  |s مجلة كلية التربية  |t Journal of Faculty of Education  |v 009  |x 1812-0380 
856 |u 1151-009-001-018.pdf 
930 |d n  |p y  |q y 
995 |a EduSearch 
999 |c 677818  |d 677818 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.