ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Magnetic Properties of Donor Impurity in Gaas Semiconductor Quantum Pseudo-Dot System (Gaas)

العنوان بلغة أخرى: الخصائص المغناطيسية لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل من مادة (GaAS)
المؤلف الرئيسي: ريحان، هناء محمد (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Rehan, Hanaa Mohammad
مؤلفين آخرين: السعيد، محمد (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2019
موقع: نابلس
الصفحات: 1 - 59
رقم MD: 1248027
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة النجاح الوطنية
الكلية: كلية الدراسات العليا
الدولة: فلسطين
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم دراسة الخواص المغناطيسية مثل التمغنط والقابلية المغناطيسية لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل بوجود المجالات المغناطيسية والكهربائية، باستخدام طريقة مفكوك 1 / N تم حل دالة هاملتون لحساب الطاقة لعدة مستويات بدلالة متغيرات فيزيائية. أظهرت نتائج حساب الطاقة لشائبة مانحة في نقطة كمية شبه موصل توافقا جيدا مقارنة بنتائج مماثلة منشورة. والمتغيرات فيزيائية هي: وجود الشوائب، شدة المجالين المغناطيسي والكهربائي، وقوة حصر الإلكترون. تأثير المتغيرات الفيزيائية بدا واضحا على كل من: طاقة الربط ومعدل الطاقة وعلى الخواص المغناطيسية التمغنط والقابلية المغناطيسية، حيث تظهر منحنيات هذه الخواص سلوكا متذبذبا يعزى إلى تقاطع مستوى الطاقة.

عناصر مشابهة